Untersuchung der Interdiffusion der Metalle im System Ga2Te3-In2Te3

Halbleitende Verbindungen, oft die "zweite Generation der Halb leiter" genannt, erweckten in den letzten zwei Jahrzehnten zu nehmendes Interesse auch der angewandten Forschung, da sie neu artige Anwendungen ermoglichen, wie Infrarotdetektoren, Lumines zenzdioden, Solarzellen und viele andere mehr. Dabei lassen sich die Eigenschaften dieser Verbindungen durch Steuerung der Zusam mensetzung und Dotierung dem Verwendungszweck anpassen. Bis heute stehen Verbindungen zwischen Elementen der dritten und flinften Hauptgruppe sowie Chalkogenide der vierten Hauptgruppe und der zweiten Nebengruppe des Periodensystems im Vordergrund des Interesses. Eine Sonderstellung unter den Verbindungshalbleitern nehmen die Chalkogenide der dritten Hauptgruppe mit der Zusammensetzung III -VI ein. Diese Verbindungen haben eine relativ offene Struk 2 3 tur mit einer groBen Zahl sogenannter "stochiometrischer Leer stellen" im Metalluntergitter. Die Eigenschaften dieser Substanzen sind bisher bei weitem nicht so gut erforscht worden wie die der meisten anderen Verbindungs halbleiter. Die Ursachen daflir liegen teilweise auf theoretischem Gebiet, beispielsweise ist bis heute nicht geklart, ob das Ban dermodell oder ein "hopping electron"--Modell zur Beschreibung der elektrischen Eigenschaften herangezogen werden muB /1/. Ein wei terer Grund sind praparative Schwierigkeiten bei der Herstellung von Substanzen groBer Reinheit und definierter Zusammensetzung, _ was zu widersprlichlichen Ergebnissen in der Literatur flihrte.